GaAs基体中亚单层和单层InAs结构的自旋弛豫
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1
摘要
利用时间分辨Kerr旋转光谱研究了由嵌入(001)和(311)A GaAs基体中的单层InAs(1/3~1个单层)构成的InAs/GaAs异质结构中的电子自旋动力学。与单层InAs样品相比，亚单层InAs样品的自旋弛豫时间显著增强。我们将自旋弛豫的减缓归因于运动窄化区域中维度受限的D'yakonov-Perel'机制。研究发现，亚单层样品中的电子自旋弛豫时间和有效g因子强烈依赖于光子产生的载流子密度。讨论了D'yakonov-Perel'机制和Bir-Aronov-Pikus机制的贡献，以解释不同载流子密度下自旋退相干的温度依赖性。
引用
@article{arxiv.0902.0484,
title = {Spin relaxation in sub-monolayer and monolayer InAs structures grown in GaAs matrix},
author = {Chunlei Yang and Xiaodong Cui and Shun-Qing Shen and Zhongying Xu and Weikun Ge},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.0484},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures