石墨烯中电子自旋弛豫：衬底的作用
介观与纳米尺度物理
2013-05-29 v2 其他凝聚态物理
摘要
本文发展了SiO衬底上石墨烯中电子自旋弛豫的理论。衬底中的带电杂质和极性光学表面声子会诱导出一个有效的类Bychkov-Rashba自旋轨道耦合随机场，该场通过D'yakonov-Perel'机制导致自旋弛豫。解析估计和蒙特卡洛模拟表明，相应的自旋弛豫时间在微秒到毫秒之间，且仅微弱地依赖于温度。本文还论证了石墨烯上吸附原子的存在可能导致自旋寿命短于纳秒。
引用
@article{arxiv.0905.0424,
title = {Electron spin relaxation in graphene: the role of the substrate},
author = {C. Ertler and S. Konschuh and M. Gmitra and J. Fabian},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.0424},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures