无序石墨烯中的自旋弛豫时间
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v2
摘要
我们考虑了无序石墨烯中两种自旋弛豫机制。i) 由波纹引起的曲率自旋轨道耦合导致的自旋弛豫。ii) 电子自旋与边缘局域磁矩相互作用导致的自旋弛豫。我们获得了由这两种机制引起的自旋弛豫时间tau_SO和tau_J的解析表达式，并估计了石墨烯样品实际参数下的值。我们发现，由这些机制引起的自旋弛豫非常弱，在长度L ~ 1微米的无序石墨烯样品中，预计可以保持自旋相干性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702433,
title = {Spin relaxation times in disordered graphene},
author = {Daniel Huertas-Hernando and Francisco Guinea and Arne Brataas},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702433},
year = {2009}
}
备注
To appear in the Proceedings of the Graphene Conference, MPI PKS Dresden, September 2006. Corrected typos