SiC(0001) 上晶圆级外延石墨烯中的长自旋弛豫时间
介观与纳米尺度物理
2012-02-15 v1
摘要
我们开发了一种简便且可扩展的工艺，用于在 SiC(0001) 上外延生长的单层石墨烯上制备横向自旋阀器件，并进行了非局域自旋输运测量。我们在单层石墨烯中观测到了最长的自旋弛豫时间 ，而自旋扩散系数 相较于剥离石墨烯的典型结果显著降低。 的增加可能与衬底的改变有关，而 数值较小的原因仍是一个未解之谜。
引用
@article{arxiv.1202.3016,
title = {Long spin relaxation times in wafer scale epitaxial graphene on SiC(0001)},
author = {T. Maassen and J. J. van den Berg and N. IJbema and F. Fromm and T. Seyller and R. Yakimova and B. J. van Wees},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.3016},
year = {2012}
}
备注
16 pages, 3 figures, 1 table