利用横向电场控制六方氮化硼封装石墨烯中的自旋弛豫
介观与纳米尺度物理
2014-08-27 v2
摘要
我们实验研究了hBN封装单层石墨烯非局域自旋阀中的电子自旋输运。使用顶栅和底栅使我们能够独立控制载流子密度和电场。我们的器件中的自旋弛豫时间高达2 ns，自旋弛豫长度超过12 μm，即使在室温下也是如此。我们得到，对于零垂直电场，面外自旋与面内自旋的自旋弛豫时间之比为τ⊥/τ|| ≈ 0.75。通过调节电场，这种各向异性在0.7 V/nm时变为≈0.65，与电场可调的面内Rashba自旋轨道耦合一致。
引用
@article{arxiv.1406.4656,
title = {Controlling spin relaxation in hexagonal BN-encapsulated graphene with a transverse electric field},
author = {M. H. D. Guimarães and P. J. Zomer and J. Ingla-Aynés and J. C. Brant and N. Tombros and B. J. van Wees},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.4656},
year = {2014}
}