具有六方氮化硼隧穿势垒的单层石墨烯自旋阀中的纳秒级自旋弛豫时间
介观与纳米尺度物理
2017-03-31 v1 材料科学
摘要
我们提出一项使用六方氮化硼(h-BN)原子薄片作为自旋注入隧穿势垒的单层石墨烯中的自旋输运实验研究。尽管h-BN有望有利于自旋注入，先前的实验研究未能实现纳秒量级的自旋弛豫时间，暗示可能源自接触的问题。在此，我们研究具有h-BN势垒的石墨烯自旋阀中的自旋弛豫，并观察到室温下超过一纳秒的自旋寿命，这为h-BN确实是用于石墨烯自旋注入的良好势垒材料提供了实验确认。通过采用不同厚度的h-BN进行测量，我们表明少层h-BN比单层更能实现高非局域自旋信号和更长自旋弛豫时间。
引用
@article{arxiv.1608.08688,
title = {Nanosecond spin relaxation times in single layer graphene spin valves with hexagonal boron nitride tunnel barriers},
author = {Simranjeet Singh and Jyoti Katoch and Jinsong Xu and Cheng Tan and Tiancong Zhu and Walid Amamou and James Hone and Roland Kawakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.08688},
year = {2017}
}
备注
22 pages, 4 figures and supplementary material, [accepted for publication in Applied Physics Letters]