原子级薄氮化硼：石墨烯器件的隧穿势垒
介观与纳米尺度物理
2012-03-21 v1
摘要
我们研究了基于超薄六方氮化硼 (h-BN) 晶体层的异质结构的电子性质，这些层夹在两层石墨烯以及其他导电材料（石墨、金）之间。隧穿电导随 h-BN 原子层数的增加呈指数依赖关系，直至单层厚度。石墨烯/BN/石墨烯和石墨/BN/石墨器件的 I-V 特性的指数行为主要由电极中态密度随偏压的变化决定。跨越不同厚度 h-BN 台阶的导电原子力显微镜扫描揭示了隧穿电流的高度均匀性。我们的结果表明，原子级薄的 h-BN 充当具有高击穿场的无缺陷电介质；它在隧穿器件以及导电通道中具有高载流子密度的场效应晶体管应用中展现出巨大潜力。
引用
@article{arxiv.1202.0735,
title = {Atomically thin boron nitride: a tunnelling barrier for graphene devices},
author = {Liam Britnell and Roman V. Gorbachev and Rashid Jalil and Branson D. Belle and Fred Schedin and Mikhail I. Katsnelson and Laurence Eaves and Sergey V. Morozov and Alexander S. Mayorov and Nuno M. R. Peres and Antonio H. Castro Neto and Jon Leist and Andre K. Geim and Leonid A. Ponomarenko and Kostya S. Novoselov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.0735},
year = {2012}
}
备注
7 pages, 5 figures