基于石墨烯/h-BN 异质结构的共振隧穿二极管
介观与纳米尺度物理
2012-08-01 v2
摘要
本文提出了一种基于双势垒石墨烯/氮化硼 (BN) 异质结构的共振隧穿二极管 (RTD)，该器件适用于利用在六方晶格内包含不同 BN 和 C 相域的原子片层制备工艺。我们采用紧束缚哈密顿量下的非平衡格林函数形式中的自洽模型，研究了该器件的工作机制与性能。该 RTD 表现出负微分电导效应，涉及通过石墨烯量子阱中电子和空穴束缚态的共振隧穿。研究表明，对于无带隙石墨烯，其峰谷比在室温下可达 4；而对于 50 meV 的带隙，该值可达 13。
引用
@article{arxiv.1201.4258,
title = {Resonant tunneling diode based on graphene/h-BN heterostructure},
author = {Nguyen Viet Hung and Fulvio Mazzamuto and Arnaud Bournel and Philippe Dollfus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.4258},
year = {2012}
}
备注
3 pages, 4 figures