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用于垂直隧穿晶体管的扭转单层与双层石墨烯

介观与纳米尺度物理 2021-05-07 v1

摘要

我们制备了由单层(Gr)和伯纳尔双层(BGr)石墨烯电极经薄层六方氮化硼(hBN)隔开构成的扭转可控共振隧穿晶体管。通过使石墨烯电极的晶向紧密对齐实现共振条件,从而在特定偏压下使隧穿电子动量守恒。在此条件下可获得负微分电导(NDC)。施加面内磁场使电子在隧穿过程中获得附加动量,从而实现对共振条件的调控。

关键词

引用

@article{arxiv.2103.13658,
  title  = {Twisted monolayer and bilayer graphene for vertical tunneling transistors},
  author = {Davit A. Ghazaryan and Abhishek Misra and Evgenii E. Vdovin and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Sergei V. Morozov and Artem Mishchenko and Kostya S. Novoselov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2103.13658},
  year   = {2021}
}