六方氮化硼上扭转双层石墨烯的能带结构
强关联电子
2020-10-28 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
本文研究了与扭转双层石墨烯(TBG)近对齐的六方氮化硼(hBN)层的影响。当扭转双层石墨烯与 hBN 之间的扭转角足够小,即 时,石墨烯电子结构受到强烈扰动。态密度的低能峰宽度从解耦系统的 meV 变为 meV。由范霍夫奇点引起的态密度尖峰被抹平。我们发现,对于 TBG 中扭转角与 hBN 和石墨烯层之间扭转角的实际组合,该系统可用单一 moiré 原胞来描述。
引用
@article{arxiv.2005.07396,
title = {Band structure of twisted bilayer graphene on hexagonal boron nitride},
author = {Tommaso Cea and Pierre A. Pantaleon and Francisco Guinea},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.07396},
year = {2020}
}
备注
7+10 pages; main text + supplementary information