30°扭转双层-双层石墨烯的电子结构
材料科学
2020-09-14 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
本文采用紧束缚近似方法，研究了30°扭转双层-双层石墨烯的电子性质，该体系由于扭转角不可公度而失去平移对称性。我们从态密度、有效能带结构、光电导率以及朗道能级谱等多种电子性质中，展示了低能区域的层间解耦。然而，在 Q 点处，层间耦合导致态密度中出现新的范霍夫奇点、光电导率中出现新的峰，以及重要的12重对称性类电子态。我们采用k空间紧束缚方法来解释这一现象。由于对称性降低，Q点处的电子态显示出比30°扭转双层石墨烯更复杂的电荷分布模式。这些现象也出现在石墨烯单层与AB堆垛双层之间的30°扭转界面中。
引用
@article{arxiv.1908.08439,
title = {Electronic structure of 30{\deg} twisted double bilayer graphene},
author = {Guodong Yu and Zewen Wu and Zhen Zhan and Mikhail I. Katsnelson and Shengjun Yuan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.08439},
year = {2020}
}
备注
8pages, 7 figures