非公度扭曲双层石墨烯电子结构理论
介观与纳米尺度物理
2015-01-27 v1
摘要
目前尚未报道对扭曲双层石墨烯中扭曲角的实验控制，其真实结构最有可能是非公度的。在本文中，我们发展了一种紧束缚虚拟晶体近似理论，以研究非公度扭曲双层石墨烯的电子性质。该理论得出了石墨烯片层间任意非公度扭曲角 {\theta} 的电子能带结构和局域态密度。在数值计算的局域态密度中观察到了依赖于角度的 Van Hove 奇点。与扫描隧道显微镜和光谱学的观测结果一致，我们的理论计算表明，与单层石墨烯相比，石墨烯片层之间的旋转角并未导致费米速度显著降低。所发展的理论具有相当的普适性，可应用于研究任何非公度多层异质结构的电子性质。
引用
@article{arxiv.1501.06334,
title = {Theory for the electronic structure of incommensurate twisted bilayer graphene},
author = {D. Ghader and D. Szczȩśniak and A. Khater},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.06334},
year = {2015}
}