扭曲三层石墨烯：一个可精确调控的关联电子平台
介观与纳米尺度物理
2020-10-12 v2
摘要
我们引入具有两个独立扭曲角的扭曲三层石墨烯 (tTLG) 作为一个理想系统，用于精确调控电子层间耦合以最大化关联行为的效应。正如在相关的扭曲双层石墨烯系统中由实验与理论所确立的，态密度中的范霍夫奇点 (VHS) 可用作关联行为倾向的代理。为探索 tTLG 扭曲角相空间中 VHS 的演化，我们给出任意一对扭曲角下的通用低能电子结构模型。我们表明该模型的基即使在有限能量截断下也具有无限维，且即使在连续极限下也不存在布里渊区。利用此模型，我们证明 tTLG 系统展现出广泛的魔角，在这些角度下 VHS 合并且态密度在电荷中性点通过两种不同机制出现尖锐峰：扭曲双层石墨烯平带的非公度微扰，或两个双层莫尔超晶格间的等量杂化。
引用
@article{arxiv.2006.00399,
title = {Twisted Trilayer Graphene: a Precisely Tunable Platform for Correlated Electrons},
author = {Ziyan Zhu and Stephen Carr and Daniel Massatt and Mitchell Luskin and Efthimios Kaxiras},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.00399},
year = {2020}
}