MoS2上大角度扭转双层石墨烯中关联诱导的对称破缺态
介观与纳米尺度物理
2023-07-11 v1
摘要
强关联态通常出现在具有魔角的扭转双层石墨烯（TBG）中，其中电子-电子（e-e）相互作用U相对于近平带的小带宽W变得显著。然而，该魔角的严格要求使样品制备和进一步应用面临巨大挑战。 here，利用扫描隧道显微镜（STM）和谱学（STS），我们证明关联诱导的对称破缺态也可在3.45{\deg} TBG中实现，通过将这一非魔角TBG调控至U/W > 1的区间。我们通过使用MoS2衬底控制微观介电环境来增强e-e相互作用。同时，通过STM针尖调制增强层间耦合，降低了低能范霍夫奇点（VHS）峰的带宽。当部分填充时，VHS峰表现出巨分裂为费米能级两侧的两个态，并显示出具有条纹状电荷序的对称破缺局域态密度（LDOS）分布，这证实了我们的3.45{\deg} TBG中存在强关联效应。我们的结果为在更宽扭转角范围内的TBG中关联物理的研究和应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2307.04170,
title = {Correlation-induced symmetry-broken states in large-angle twisted bilayer graphene on MoS2},
author = {Kaihui Li and Long-Jing Yin and Chenglong Che and Xueying Liu and Yulong Xiao and Songlong Liu and Qingjun Tong and Si-Yu Li and Anlian Pan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.04170},
year = {2023}
}