魔角以下转角双层石墨烯中的关联绝缘态与超导态
介观与纳米尺度物理
2019-02-15 v1
摘要
“魔角”转角双层石墨烯(tBLG)中平带与关联行为的出现引发了巨大关注，尽管该体系的许多方面仍存在激烈争论。在此我们报道在扭转角约为0.93°（比魔角小15%）的tBLG器件中观测到超导态与类Mott绝缘态。在每摩尔超晶胞±5个电子的浓度下，我们观测到窄电阻峰，其活化能隙约为0.1 meV，表明存在额外的关联绝缘态。这与理论预言的高能带具有能量上平坦色散相一致。在每摩尔超晶胞±12个电子的掺杂下，我们观测到由谱中Dirac点存在引起的电阻峰。我们的结果表明tBLG的魔角范围实际上比此前预期更大，并为解读tBLG中观测到的强关联现象提供了丰富的新信息。
引用
@article{arxiv.1902.05151,
title = {Correlated Insulating and Superconducting States in Twisted Bilayer Graphene Below the Magic Angle},
author = {Emilio Codecido and Qiyue Wang and Ryan Koester and Shi Che and Haidong Tian and Rui Lv and Son Tran and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Fan Zhang and Marc Bockrath and Chun Ning Lau},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.05151},
year = {2019}
}