扭转双层石墨烯中的关联绝缘态
介观与纳米尺度物理
2019-11-25 v2 强关联电子
摘要
我们展示了对扭转角在1°到1.35°之间的扭转双层石墨烯进行的实验与理论相结合的研究。与莫尔条纹能带结构计算一致，我们在整数莫尔条纹能带填充数为一和三时观察到绝缘体，但在填充数为二时未观察到。施加的横向电场将第一莫尔条纹导带与邻近能带分开，并有利于在1/4、1/2和3/4能带填充处出现关联绝缘态。在1/4和3/4能带填充处的绝缘态仅在平行磁场（B_{||}）中出现，而在半填充处的电阻对B_{||}的依赖性较弱。这些发现表明，当莫尔条纹平带在光谱上被隔离时，关联绝缘态更受青睐，其中在1/4和3/4能带填充处为自旋极化，在1/2能带填充处为谷极化。
引用
@article{arxiv.1907.10106,
title = {Correlated Insulating States in Twisted Double Bilayer Graphene},
author = {G. William Burg and Jihang Zhu and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Allan H. MacDonald and Emanuel Tutuc},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.10106},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 4 figures, includes supplementary material