扭曲石墨烯双层和三层中的电子结构及其朗道量子化
介观与纳米尺度物理
2015-01-09 v3 材料科学
摘要
利用扫描隧道显微镜和谱学研究了扭曲石墨烯双层和三层中的电子结构及其朗道量子化。在扭曲三层中，顶层石墨烯和第二层为 AB (Bernal) 堆叠，而第二层与第三层之间存在堆叠错位。扭曲双层和三层在其谱中均表现出两个显著的低能范霍夫奇点 (VHSs)。在 VHSs 以下，观察到的扭曲双层中的朗道能级量子化与石墨烯单层中无质量狄拉克费米子的量子化相同。我们的结果表明，扭曲双层的 VHSs 和费米速度显著依赖于扭曲角和层间耦合强度。在扭曲三层中，我们直接观察到了具有 105 meV 显著带隙的有质量狄拉克费米子的朗道量子化，这导致了最低朗道能级的谷（层）极化。该结果类似于中等电场下 Bernal 石墨烯双层中预期的朗道量子化。
引用
@article{arxiv.1410.1621,
title = {Electronic Structures and Their Landau Quantizations in Twisted Graphene Bilayer and Trilayer},
author = {Long-Jing Yin and Jia-Bin Qiao and Wei Yan and Rui Xu and Rui-Fen Dou and Jia-Cai Nie and Lin He},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.1621},
year = {2015}
}
备注
5 figures