扭曲石墨烯双层中应变诱导的电子能带结构演化
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v2 材料科学
摘要
在此，我们研究了由应变与高曲率诱导的扭曲石墨烯双层局部电子性质的演化。应变与曲率强烈影响扭曲石墨烯双层的局部能带结构；两个低能 van Hove 奇点的能量差随晶格形变的增加而减小，且这些态凝聚为定义明确的赝 Landau 能级，这模拟了沿石墨烯褶皱处约 100 T 磁场下有质量 Dirac 费米子的量子化。石墨烯褶皱中应变与面外畸变的联合效应也导致了具有显著能隙的谷极化，即电荷中性点处的八重简并 Landau 能级分裂为极化在各自层上的两个四重简并四重态。这些结果表明，应变的石墨烯双层可以是实现高温零场量子谷 Hall 效应的理想平台。
引用
@article{arxiv.1206.5881,
title = {Strain-induced Evolution of Electronic Band Structures in a Twisted Graphene Bilayer},
author = {Wei Yan and Wen-Yu He and Zhao-Dong Chu and Mengxi Liu and Lan Meng and Rui-Fen Dou and Yanfeng Zhang and Zhongfan Liu and Jia-Cai Nie and Lin He},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.5881},
year = {2015}
}
备注
4 figures