石墨烯与过渡金属硫族化物扭转双层中的扭转电子学 versus 应变电子学

若干数值研究表明,石墨烯扭转双层(TBLG)与过渡金属硫族化物(TMDs)的电子性质可通过堆叠层的应变工程进行调控。特别地,刚性及弛豫 TBLG 的低能莫尔能带的平坦性被发现对应变相当敏感。然而,据我们所知,尚无关于应变对此类能带影响的完整解析计算。我们基于莫尔平带连续模型,推导了小扭转角下应变作用的石墨烯与 TMDs 同层扭转双层的低能哈密顿量。我们得到了应变重整化狄拉克速度的解析表达式,并解释了应变在平带出现中的作用。我们讨论了应变如何修正扭转角并使其更接近 TBLG 的魔角 $\theta_m\sim1.05^{\circ}$,以及它如何减小 TMDs 同层扭转双层在电荷中性处最低能带的宽度。解析结果与数值及实验发现以及我们基于连续模型的数值计算进行了比较。