应变工程过渡金属二硫化物双层莫尔系统中的原子弛豫与平带

应变诱导的晶格失配导致同质双层过渡金属二硫化物（TMDs）中出现莫尔条纹。我们研究了 TMD 同质双层中此类应变莫尔条纹的结构和电子性质。应变 TMDs 中的莫尔条纹由若干堆垛畴组成，这些畴被拉伸孤子分隔。这些系统的弛豫使应变在莫尔超晶格中分布不均匀，最大应变能集中在能量最高的堆垛处。序参量分布显示在相同位置形成了星形拓扑缺陷。相比之下，扭转 TMDs 在畴壁处承载剪切孤子，这些系统中的序参量分布显示出涡旋缺陷的形成。应变莫尔系统还在价带和导带边缘显示出几个分离良好的平带，并且我们观察到带隙显著减小。这些应变莫尔超晶格中的平带为研究三角晶格上的 Hubbard 模型以及蜂窝晶格上的离子 Hubbard 模型提供了平台。此外，我们研究了与这些平带对应的波函数的局域化。与扭转 TMDs 相比，波函数局域在不同的堆垛处，我们的结果与光谱实验非常吻合。