临界扭转角 MoS2 双层中的莫尔势、晶格弛豫与层间极化
材料科学
2023-01-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
半导体过渡金属硫族化合物（TMDs）的人工扭转异质结构通过对层间相互作用和结构重构的空间调制，为控制其电子和光学性质提供了前所未有的手段。本文利用扫描隧道显微镜/谱学（Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy）研究了扭转角在 0° 附近大范围内的扭转 MoS2 双层。我们考察了莫尔图案对扭转角的依赖关系：在小角度（<2°）下，该图案由晶格重构主导，形成具有菱方堆垛的大三角形畴。局域谱学测量显示，在角度 <3° 时莫尔势强度达 100-200 meV。在重构区域中，我们观察到相邻三角形畴之间依赖于偏压的不对称性，并将其归因于菱方堆垛 TMDs 固有的垂直极化。谱学映射与环境压电响应测量进一步支持了这一观点。我们的结果为此类新型界面铁电体提供了微观视角，并可为设计利用该效应的新型异质结构提供线索。
引用
@article{arxiv.2210.08368,
title = {Moire Potential, Lattice Relaxation and Layer Polarization in Marginally Twisted MoS2 Bilayers},
author = {Nikhil Tilak and Guohong Li and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Eva Y. Andrei},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.08368},
year = {2023}
}
备注
34 pages and 10 figures