低磁场下形变双层石墨烯的朗道能级
介观与纳米尺度物理
2011-09-16 v1
摘要
我们回顾了单轴应变对双层石墨烯低能电子色散及朗道能级结构的影响。基于紧束缚近似，我们推导了低能哈密顿量中的应变诱导项，并展示了应变如何影响低能电子能带结构。根据施加应变的大小和方向，我们确定了三种具有定性不同电子色散的机制。我们还表明，在弱磁场下，足够的应变会导致量子霍尔效应测量中填充因子 最为稳定，而非未受扰动的双层石墨烯在弱磁场下的 。值得一提的是，在一种应变机制下， 处的激活能隙在低至非常弱的磁场下对磁场强度的依赖性较弱。
引用
@article{arxiv.1109.3348,
title = {Landau levels in deformed bilayer graphene at low magnetic fields},
author = {M. Mucha-Kruczynski and I. L. Aleiner and V. I. Fal'ko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.3348},
year = {2011}
}
备注
14 single-column pages, 5 figures, more details on material presented in arXiv:1104.5029