单层与双层磷烯的朗道能级
介观与纳米尺度物理
2015-09-02 v1
摘要
在本工作中，我们引入了描述单层与双层黑磷在γ点附近电子态的低能哈密顿量。该模型基于最近提出的、针对费米能级附近电子与空穴能带的紧束缚描述。我们计算了朗道能级谱作为磁场函数的表达式，并在双层黑磷的情况下研究了外部偏压对电子带隙的影响。结果展示了黑磷的高度各向异性特征，特别是对于双层BP，偏压的存在允许场致半导体-金属转变。
引用
@article{arxiv.1504.02452,
title = {Landau levels of single layer and bilayer phosphorene},
author = {J. M. Pereira and M. I. Katsnelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.02452},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 7 figures