扭曲三层石墨烯的电子性质
介观与纳米尺度物理
2013-04-02 v1
摘要
我们研究了扭曲三层石墨烯的电子性质，其中两层具有 Bernal 堆叠，第三层相对于 AB 堆叠层具有相对旋转。在 Dirac 点附近，AB-扭曲三层石墨烯能谱显示出两个抛物线型的 Bernal 样能带和一个扭曲样 Dirac 锥。对于小扭曲角，抛物线型能带呈现出一个随旋转角减小而增大的能隙。扭曲样 Dirac 锥也存在具有类似角度依赖性的偏移。我们将三层中的能隙与孤立扭曲双层中 Dirac 锥的偏移相关联，后者是由于旋转几何结构中的子格混合导致电子-空穴对称性丧失所致。利用紧束缚模型和连续介质模型，我们推导出了一个有效 Hamilton 量，用以描述该系统相关的低能性质。
引用
@article{arxiv.1301.3052,
title = {Electronic Properties of Twisted Trilayer Graphene},
author = {E. Suárez Morell and M. Pacheco and L. Chico and L. Brey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.3052},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 6 figures