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扭曲双层石墨烯中外场控制的带隙

强关联电子 2018-07-04 v1

摘要

我们在理论上研究了施加横向直流电场下扭曲双层石墨烯中电子-电子相互作用的效应。当扭曲角不太小时,双层石墨烯的电子能谱由继承自各石墨烯层的四个狄拉克锥组成。施加偏压导致出现两个空穴型和两个电子型费米面,且电子与空穴分量之间存在完美嵌套。由于屏蔽库仑相互作用,这种能带结构相对于激子带隙的打开是不稳定的。激子序参数伴随着自旋密度波序。带隙的大小取决于扭曲角。更重要的是,它可以通过施加偏压来控制,这为制造不同的纳米尺度器件开辟了新方向。

关键词

引用

@article{arxiv.1707.08886,
  title  = {Externally controlled band gap in twisted bilayer graphene},
  author = {A. O. Sboychakov and A. V. Rozhkov and A. L. Rakhmanov and Franco Nori},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1707.08886},
  year   = {2018}
}

备注

8 pages, 2 figures