偏置双层石墨烯：带隙可由电场效应调控的半导体
材料科学
2007-11-20 v2 强关联电子
摘要
我们证明石墨烯双层的电子带隙可以通过施加栅极偏压进行外部控制。从磁输运数据(回旋质量的Shubnikov-de Haas测量)出发，并使用紧束缚模型，我们提取了带隙作为电子密度的函数。我们表明，通过使用小于1 V/nm的电场(低于SiO2的电击穿场)，带隙可以从零变化到中红外能量，直至高达0.3 eV的值。在量子霍尔区中清晰地观察到带隙的打开。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611342,
title = {Biased bilayer graphene: semiconductor with a gap tunable by electric field effect},
author = {Eduardo V. Castro and K. S. Novoselov and S. V. Morozov and N. M. R. Peres and J. M. B. Lopes dos Santos and Johan Nilsson and F. Guinea and A. K. Geim and A. H. Castro Neto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611342},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 5 figures. To appear in Physical Review Letters, November 2007