双层石墨烯中无需偏压的能隙产生
介观与纳米尺度物理
2014-03-13 v2 材料科学
摘要
石墨烯要在数字电子工业中得到应用，面临的挑战是以尽可能简单的方式产生量级为 1eV 的带隙。目前在石墨烯中产生能隙最成功的方法是：(a) 将电子限制在纳米带中，但这在技术上具有难度；或 (b) 在双层石墨烯上施加电势差，但在合理大小的电场下，其产生的能隙仅限于约 300meV。在此，我们提出无需施加外部电场即可产生电子能隙，方法是利用夹在高极化率离子材料之间的双层石墨烯所形成的电子 - 声子相互作用。我们推导并求解了自洽方程，发现对于中等强度的电子 - 声子耦合可以形成较大的能隙。该能隙源于邻近平面中碳原子 proximity 导致的内禀库仑相互作用的放大。
引用
@article{arxiv.1308.1589,
title = {Bias Free Gap Creation in Bilayer Graphene},
author = {A. R. Davenport and J. P. Hague},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.1589},
year = {2014}
}