石墨烯/g-C2N双层：带隙打开、增强可见光响应及电场调谐能带结构
材料科学
2016-08-08 v1
摘要
打开石墨烯的带隙并寻找合适的衬底是构建纳米电子设备的两个挑战。一种具有新颖电子和光学性质的新型二维层状晶体g-C2N (Nat. Commun. 2015, 6, 1--7)可通过湿化学反应有效合成。并且g-C2N可用作合适的衬底，使石墨烯的带隙打开多达0.239 eV，该值足以在室温下打开带隙。带隙打开背后的物理机制是g-C2N衬底能在石墨烯层上产生非均匀静电势。外加电场的施加能有效将石墨烯/g-C2N杂化体的带隙从半导体调谐至金属。与纯g-C2N单层相比，石墨烯/g-C2N杂化体显示出增强的光学活性。
引用
@article{arxiv.1510.09022,
title = {Graphene/g-C2N bilayer:gap opening, enhanced visible light response and electrical field tuning band structure},
author = {Zhaoyong Guan and Jia Li and Wenhui Duan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.09022},
year = {2016}
}
备注
20 pages, 8 figures, 57 conference