SiO2 上石墨烯的结晶学选择性纳米图案化
介观与纳米尺度物理
2009-12-17 v1 材料科学
摘要
石墨烯具有许多优良特性，但其缺乏电子带隙使得这种二维材料在许多纳米电子学应用（例如场效应晶体管）中不切实际。通过将石墨烯图案化为宽度仅几纳米的带状，可以打开由限域引起的带隙，从而规避这一问题。此类纳米带的电子性质取决于其尺寸和带边缘的结晶学取向。因此，能够区分石墨烯的锯齿型和扶手椅型边缘端基的刻蚀工艺备受青睐。在本文中，我们展示了这种各向异性的干法刻蚀反应是可行的，并利用它来获得具有锯齿型边缘的石墨烯带。我们证明了碳移除反应的起始位置可以随意且精确地定制。
引用
@article{arxiv.0912.3092,
title = {Crystallogprahically selective nanopatterning of graphene on SiO2},
author = {Peter Nemes Incze and Gabor Magda and Katalin Kamaras and Laszlo Peter Biro},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.3092},
year = {2009}
}