石墨烯纳米带：刻蚀工艺的影响
介观与纳米尺度物理
2015-07-13 v2
摘要
实验文献中的大多数石墨烯纳米带采用等离子体刻蚀进行图案化。不同的刻蚀工艺诱发不同类型的缺陷，不一定产生相同的电子和结构纳米带特性。本研究聚焦于两种常用刻蚀技术，即氧等离子体灰化和氧/氩反应离子刻蚀（RIE）。氧等离子体灰化作为敏感衬底上RIE物理刻蚀的一种替代方案，因为它是一种更温和的化学过程。我们发现等离子体灰化在暴露的沟槽中产生了有缺陷的石墨烯，导致纳米带输运中的不稳定性。这些可能是由灰化器件边缘比RIE定义器件更多或更大的局域态引起的。
引用
@article{arxiv.1503.01921,
title = {Graphene nanoribbons: relevance of etching process},
author = {Pauline Simonet and Dominik Bischoff and Annina Moser and Thomas Ihn and Klaus Ensslin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.01921},
year = {2015}
}
备注
revised version