通过反应离子刻蚀等离子体实现石墨烯氢化的途径
材料科学
2013-03-05 v1
摘要
我们报道了在反应离子刻蚀系统中由氩-氢等离子体对单层和双层石墨烯的氢化。结合拉曼光谱的电子输运测量被用于将电平均自由程与光学提取的缺陷浓度联系起来。我们强调了石墨烯自偏压在抑制等离子体处理过程中薄片侵蚀的作用。我们表明，在选定的等离子体条件下，该过程不会对石墨烯片造成显著损伤，并且氢化主要源于等离子体中的氢离子，而非由高能加速等离子体电子导致石墨烯表面水吸附物的碎裂。因此，氢化水平可以被精确控制。本文提出的氢化过程可轻松在任何RIE等离子体系统中实现。
引用
@article{arxiv.1109.1684,
title = {A road to hydrogenating graphene by a reactive ion etching plasma},
author = {M. Wojtaszek and N. Tombros and A. Caretta and P. H. M. van Loosdrecht and B. J. van Wees},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.1684},
year = {2013}
}
备注
7 pages