用于电子结构调控的石墨烯栅极控制光氧化
材料科学
2020-02-06 v1 应用物理
摘要
石墨烯是一种超薄材料，使我们能够通过场效应栅控来控制表面现象。在各种表面现象中，光氧化已知是一种大幅调控石墨烯电子结构的简便方法。本研究使用场效应晶体管构型彻底考察了石墨烯光氧化的栅极可控性。水分子的存在增强了栅极可控性，这可以用水-氧共吸附图像来解释。此外，光氧化反应从边缘开始并朝石墨烯沟道中心推进，这可由边缘场效应理解。通过缩小石墨烯沟道成功获得了半导体特性，表明在温和条件（即室温空气中）下可能形成石墨烯纳米带。
引用
@article{arxiv.2002.01694,
title = {Gate-controlled photo-oxidation of graphene for electronic structure modification},
author = {Ryo Nouchi and Morihiro Matsumoto and Nobuhiko Mitoma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.01694},
year = {2020}
}
备注
Accepted version