栅极控制的石墨烯边缘紫外光刻蚀
材料科学
2013-11-15 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
研究了在正负栅极电场下石墨烯在紫外（UV）光照射下的化学反应活性。当施加负栅极电压时，石墨烯边缘被选择性刻蚀，而正栅极电压则显著抑制了反应活性。氧在石墨烯上的吸附受到先前电测量过程中达到的终态费米能级的显著影响。负至正栅极扫描后的紫外照射导致主要的氧脱附，而相反方向的栅极扫描后的紫外照射则导致石墨烯边缘的刻蚀。
引用
@article{arxiv.1311.3452,
title = {Gate-controlled ultraviolet photo-etching of graphene edges},
author = {Nobuhiko Mitoma and Ryo Nouchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.3452},
year = {2013}
}
备注
13 pages, 4 figures