极紫外光致光电子诱导的石墨烯缺陷形成

我们研究了极紫外 (EUV) 辐照期间光电子对石墨烯缺陷形成的影响。假设这些低能电子起主要作用，我们利用低能初级电子模拟了这一过程。石墨烯受到能量低于 80 eV 的电子束辐照。电子束辐照后发现，拉曼光谱中出现了 D 峰 I(D)，表明石墨烯中形成了缺陷。随着辐照剂量的增加，I(D)/I(G) 的演化遵循非晶化轨迹，表明石墨烯经历了从微晶到纳米晶，再进一步到非晶碳的转变。此外，在增加水蒸气分压的情况下辐照石墨烯并未显著改变拉曼光谱，这表明在极低能量范围内，电子束诱导的残留水与石墨烯之间的化学反应并非驱动石墨烯缺陷形成的主要机制。我们对部分悬空于孔洞之上的单层石墨烯进行了 EUV 辐射辐照。通过与电子束辐照的拉曼结果进行比较，得出结论：光电子，尤其是来自价带的光电子，在辐照过程中促进了石墨烯缺陷的形成。