电子束辐照对石墨烯场效应器件的影响
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1
摘要
电子束曝光是制备和成像石墨烯基器件的常用工具。本文研究了电子束辐照对石墨烯电子输运性质以及石墨烯场效应晶体管（GFET）工作性能的影响。30 keV电子束的照射导致GFET电荷中性点（CNP）发生负向偏移，这被解释为高能电子束与衬底相互作用导致石墨烯发生n型掺杂。对于悬空石墨烯器件，CNP的偏移显著减小。电子束还导致载流子迁移率和最小电导率下降，表明石墨烯中产生了缺陷。这些发现对于理解辐射损伤对石墨烯的影响以及开发抗辐射的石墨烯基电子器件具有重要价值。
引用
@article{arxiv.1008.4561,
title = {Effect of electron-beam irradiation on graphene field effect devices},
author = {Isaac Childres and Luis A. Jauregui and Mike Foxe and Jifa Tian and Romaneh Jalilian and Igor Jovanovic and Yong P. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.4561},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 3 figures