电子束辐照对氧化石墨烯的影响
应用物理
2019-07-16 v1 材料科学
摘要
氧化石墨烯（GO）是一种由石墨烯及附着其上的多种含氧官能团组成的纳米薄膜。GO 因其独特的力学增强特性、可调的电子特性以及在大规摸石墨烯生产中的潜在用途而备受关注。扫描电子显微镜（SEM）常用于表征和研究 GO 薄膜。本项目的目的是研究 SEM 成像对 GO 薄膜的影响。我们使用 SEM 以 10、20 和 30 keV 的电子束能量（在约 40 微安的恒定发射电流下）对 GO 样品辐照 15 分钟至 1 小时。利用拉曼 D 带和 G 带强度考察 GO 样品随束流能量和曝光时间的结构修饰/损伤。结果表明，用 30 keV 电子束成像 30 分钟可能导致非晶碳的形成，而用 10 keV 或 20 keV 电子束成像 30 分钟对 GO 样品无显著影响。
引用
@article{arxiv.1907.06311,
title = {Effects of Electron-Beam Irradiation on Graphene Oxide},
author = {P. Adamson and S. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.06311},
year = {2019}
}
备注
Accepted for publication in Journal of Undergraduate Reports in Physics