氧化石墨烯中氧碎屑的有效削减
应用物理
2021-04-07 v2
摘要
氧化石墨烯（GO）在过去二十年中引起极大兴趣，因其具有超越原始石墨烯的独特性质，包括电子能带隙、亲水行为以及功能化所需的众多锚定位点。此外，GO 被发现是制备原始石墨烯的廉价量产来源。然而，GO 表面存在大量含氧官能团簇（称为碎屑）阻碍了 GO 在电子器件中的集成。在此，我们提出一种旨在降低弱键合于表面的氧碎屑密度的方法。该方法由极少处理组成，如超声和/或水洗过程。X 射线光电子能谱与傅里叶变换红外光谱表明，此简易方法去除了弱附着于石墨烯基体的环氧与羟基氧基团，而双 C=O 键几乎不受所施处理影响。扫描隧道显微镜与高分辨透射电子显微镜测得氧化位点呈非均匀分布，表现为优先集中于 GO 缺陷区域的簇，尽管其间被原始石墨烯区域隔开。该结果将对 GO 沉积于不同基底的电子器件应用产生影响。
引用
@article{arxiv.2006.15668,
title = {Effective Reduction of Oxygen Debris in Graphene Oxide},
author = {O. Seri-Livni and C. Saguy and F. Horani and E. Lifshitz and D. Cheskis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.15668},
year = {2021}
}
备注
19 pages, 7 figures, 1 table