解理石墨烯：离子辐照产生的扩展缺陷
材料科学
2010-09-27 v1
摘要
许多未来石墨烯的应用设想需要在其完美晶格中可控地引入缺陷。高能离子是实现这一挑战性目标的一种途径。动能范围在100 MeV的单个重离子会在介电表面（但通常不在晶体金属表面）上产生纳米尺度的缺陷。在金属中，离子诱导的电子激发在能量传递给晶格原子之前就被传导电子有效耗散。因此，预计石墨烯除了产生点缺陷外，对辐照并不敏感。这里我们展示，如果以倾斜角度辐照，介电衬底上的石墨烯会承受重大改变。由于石墨烯层中缺陷的产生和衬底中小丘的产生相结合，石墨烯沿离子径迹分裂并折叠，形成双层纳米带。我们的结果表明，石墨烯器件的抗辐射性值得怀疑，但也开辟了以可控方式引入扩展低维缺陷的新途径。
引用
@article{arxiv.1009.4858,
title = {Unzipping graphene: Extendend defects by ion irradiation},
author = {S. Akcöltekin and H. Bukowska and T. Peters and O. Osmani and I. Monnet and I. Alzaher and B. Ban d'Etat and H. Lebius and M. Schleberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.4858},
year = {2010}
}