具有子晶格不对称掺杂的石墨烯纳米带中的电子输运
介观与纳米尺度物理
2016-02-09 v2
摘要
最近的实验发现和理论预测表明，氮掺杂的化学气相沉积生长石墨烯可能由于倾向于在单个子晶格上偏析的杂质分布而产生电子带隙。在此，我们从理论上证明，这种分布在存在边缘时会引发更复杂的行为，其中几何形状决定了样品中的电子是将杂质视为开隙平均势还是散射体。锯齿形边缘导致后一种情况，并消除了在扩展石墨烯样品中预测的电子带隙。我们预测，这种行为将在具有类似几何形状的晶界附近或锯齿形边缘刻蚀器件中导致泄漏。此外，我们研究了不同子晶格域之间界面处一维金属通道的形成，这应在实验上可观测，并提供引人入胜的波导可能性。
引用
@article{arxiv.1504.03452,
title = {Electronic transport in graphene nanoribbons with sublattice-asymmetric doping},
author = {Thomas Aktor and Antti-Pekka Jauho and Stephen R. Power},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.03452},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 6 figures, published in PRB