几何无序石墨烯反点晶格中的电子和输运性质
介观与纳米尺度物理
2015-04-01 v2 无序系统与神经网络
摘要
石墨烯反点晶格是通过对石墨烯片进行规则穿孔而创建的，可以表现出许多电子器件所需的显著带隙。然而，在实际实验设置中，偏离完美周期性的情况总是存在，并且可能破坏带隙。我们的数值模拟使用在图形处理单元上实现的高效线性标度量子输运模拟方法，表明破坏带隙的无序可以引起由安德森局域化导致的输运带隙。发现缺陷诱导的输运带隙的大小与反点的半径成正比，与晶格周期性的平方成反比。此外，发现反点位置的无序比反点半径的无序更具破坏性。发现载流子迁移率与原始石墨烯中的值相比非常小，这与最近的实验一致。
引用
@article{arxiv.1412.6338,
title = {Electronic and transport properties in geometrically disordered graphene antidot lattices},
author = {Zheyong Fan and Andreas Uppstu and Ari Harju},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.6338},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 8 figures, An unused figure from the previous version is removed