中文

石墨烯反点阵的电子性质

介观与纳米尺度物理 2009-10-01 v2

摘要

石墨烯反点阵构成了一类新型的纳米工程化石墨烯器件,具有可控的电子和光学性质。反点阵由周期性排列的空洞组成,这会导致在费米能级附近打开一个带隙,将石墨烯从半金属转变为半导体。我们使用三种计算复杂度、效率和精度不同的数值方法计算了石墨烯反点阵的电子能带结构。狄拉克方程的快速有限元解能够捕捉能带结构的定性特征,而完整的紧束缚计算和密度泛函理论对于更可靠的能带结构预测是必要的。我们比较了这三种计算方法,并在我们的密度泛函理论框架内研究了氢钝化的作用。

关键词

引用

@article{arxiv.0907.0122,
  title  = {Electronic properties of graphene antidot lattices},
  author = {Joachim A. Fuerst and Jesper G. Pedersen and Christian Flindt and Niels Asger Mortensen and Mads Brandbyge and Thomas G. Pedersen and Antti-Pekka Jauho},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0907.0122},
  year   = {2009}
}

备注

19 pages, 10 figures, 1 table, final version of invited paper to focus issue on graphene in New Journal of Physics