氧化石墨烯的电子结构与光学性质
材料科学
2012-09-05 v1
摘要
基于密度泛函理论，首次对一种新型半导体材料氧化石墨烯的电子和光学性质进行了理论研究。电子计算显示其带隙为 0.952 eV，表明氧化石墨烯是一种直接带隙半导体。给出了氧化石墨烯的态密度以及 C 和 O 的分态密度，以理解其电子结构。此外，我们计算了氧化石墨烯的光学性质，包括复介电函数、吸收系数、复折射率、损失函数、反射率和电导率。这些结果为其在光电器件中的潜在应用提供了物理基础。
引用
@article{arxiv.1209.0555,
title = {Electronic structure and optical properties of Graphene Monoxide},
author = {Gui Yang and Yufeng Zhang and Xunwang Yan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.0555},
year = {2012}
}
备注
5 figures