基于密度泛函方法的SiO2上石墨烯层的电子结构和最小电导
介观与纳米尺度物理
2007-11-06 v2 材料科学
摘要
使用现实但计算上方便的、支撑石墨烯层的衬底的能量优化模型，研究了SiO衬底对石墨烯薄膜的影响。使用密度泛函方法计算了几种模型衬底的电子能带。这提供了衬底电荷对附近能带行为的影响的估计，以及石墨烯片平衡距离的变化。我们研究了一个波浪形石墨烯层的模型，作为理解石墨烯中最小导电态性质的可能候选方案。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703094,
title = {Electronic structure and the minimum conductance of a graphene layer on SiO2 from density-functional methods.},
author = {M. W. C. Dharma-wardana},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703094},
year = {2007}
}
备注
6 pages, 5 figures