利用低能电子反射率振荡对外延石墨烯上原子级薄 WSe$_2$ 的厚度表征
介观与纳米尺度物理
2017-09-22 v1
摘要
本工作采用低能电子显微镜探测 SiC 上外延石墨烯中少层 WSe 的结构及电子信息。利用光谱低能电子反射率研究 WSe-石墨烯异质结构中未占据态的出现。结果表明，对应于各垂直异质结构单层之间局域的特定 WSe 态的反射率极小值，可揭示表面上每一点的层数。我们发展了关于这些态起源的理论，并利用其解释了 WSe 电子反射率中实验观察到的特征。
引用
@article{arxiv.1606.04167,
title = {Thickness characterization of atomically-thin WSe$_2$ on epitaxial graphene by low-energy electron reflectivity oscillations},
author = {Sergio C. de la Barrera and Yu-Chuan Lin and Sarah M. Eichfeld and Joshua A. Robinson and Qin Gao and Michael Widom and Randall M. Feenstra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.04167},
year = {2017}
}
备注
15 pages, 7 figures