利用衬底拉曼强度衰减估算SiC上外延石墨烯的厚度
材料科学
2015-05-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
提出了一种利用拉曼光谱估算碳化硅(SiC)上外延生长石墨烯层厚度的简单、非侵入性方法，能够利用光谱同时确定厚度、晶粒尺寸和无序度。发现由于石墨烯覆盖层导致的衬底拉曼信号衰减取决于石墨烯薄膜厚度，该厚度由表面的X射线光电子能谱和透射电子显微镜推导得出。我们使用吸收覆盖层模型解释了这种依赖性。该方法可用于绘制区域上的石墨烯厚度分布图，并且能够估算超出XPS和俄歇电子能谱(AES)可能范围的多层石墨烯薄膜的厚度。
引用
@article{arxiv.0807.3211,
title = {Thickness Estimation of Epitaxial Graphene on SiC using Attenuation of Substrate Raman Intensity},
author = {Shriram Shivaraman and M. V. S. Chandrashekhar and John J. Boeckl and Michael G. Spencer},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.3211},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 9 figures