利用低能电子反射率的量子化振荡微观测定 SiC 上形成的薄石墨膜厚度
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
利用低能电子显微镜 (LEEM) 测量了石墨化 SiC(0001) 对低能电子的反射率。反射率随电子能量和石墨厚度的变化显示出明显的量子化振荡。薄石墨膜中的导带形成离散能级，其波矢量垂直于表面。入射电子与这些量子化导带态发生共振，增强了电子穿过薄膜进入 SiC 衬底的透射，从而导致反射率出现凹陷。利用紧束缚近似和第一性原理计算可以很好地解释这些凹陷的位置。可以通过 LEEM 反射率测量在微观上确定石墨厚度的分布。
引用
@article{arxiv.0710.0469,
title = {Microscopic thickness determination of thin graphite films formed on SiC from quantized oscillation in reflectivity of low-energy electrons},
author = {H. Hibino and H. Kageshima and F. Maeda and M. Nagase and Y. Kobayashi and H. Yamaguchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.0469},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 3 figures