原子薄石墠烯薄膜的合成与表征
材料科学
2009-11-11 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
本文报告了石墠烯薄膜的合成与详细表征，合成过程在6H-SiC晶片(0001)面上通过热分解实现，表明可成功生长直至约一层石墠烯的单晶薄膜。生长与表征在超高真空条件下进行。通过低能电子衍射监控生长过程与样品质量，通过核心层X射线光电子能谱确定样品厚度。高分辨率角度分辨光电子谱显示出持续能量图模式，这些图案非常锐利且完全动量分辨，但并非受限于分辨率。我们讨论了这一观察与扫描电子显微镜数据以及前期研究之间的含义。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0512226,
title = {Synthesis and characterization of atomically-thin graphite films on a silicon carbide substrate},
author = {E. Rollings and G. -H. Gweon and S. Y. Zhou and B. S. Mun and J. L. McChesney and B. S. Hussain and A. V. Fedorov and P. N. First and W. A. de Heer and A. Lanzara},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0512226},
year = {2009}
}