Si(111)7x7上的石墨烯
材料科学
2015-06-05 v1
摘要
我们证明了在超高真空条件下，可以在原子级定义明确的单晶硅表面上机械剥离石墨烯。薄片的横向尺寸为几百纳米，其光学对比度非常微弱，与计算数据一致。通过拉曼映射研究了单层石墨烯。与未掺杂的石墨烯相比，G峰和2D峰发生了位移和变窄。通过空间分辨的开尔文探针测量，我们表明这是由于p型掺杂所致，空穴密度为n_h ≃ 6×10^12 cm^{-2}。这里提出的真空制备技术应该为通过可控方式引入吸附物来影响石墨烯的性质开辟新的可能性。
引用
@article{arxiv.1206.0655,
title = {Graphene on Si(111)7x7},
author = {O. Ochedowski and G. Begall and N. Scheuschner and M. El Kharrazi and J. Maultzsch and M. Schleberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.0655},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 7 figures