光学分离石墨烯中的机械应变与电荷掺杂
材料科学
2012-09-04 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
石墨烯因其卓越的延展性而表现出丰富的结构变形行为，其应变工程已被证明在修饰其电子和磁性性质方面非常有用。尽管拉曼 G 模和 2D 模对应变敏感，但二氧化硅基底上石墨烯的本征应变的光学表征一直受到过量电荷干扰这两种模式的阻碍。在此，我们表明通过对这两种模式的相关性分析，可以在光学上将应变效应与电荷效应彼此分离，从而实现两者的简单量化。具有在 -0.2% 至 0.4% 之间随机发生的面内应变的石墨烯，在热处理后经历了适度的压缩（-0.3%）和显著的空穴掺杂。本研究表明，基底介导的机械应变是二维材料中普遍存在的现象。所提出的分析方法将在表征石墨烯基材料和器件方面发挥重要作用。
引用
@article{arxiv.1209.0234,
title = {Optical Separation of Mechanical Strain from Charge Doping in Graphene},
author = {Ji Eun Lee and Gwanghyun Ahn and Jihye Shim and Young Sik Lee and Sunmin Ryu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.0234},
year = {2012}
}
备注
22 pages, 5 figures