石墨烯中带电杂质的拉曼指纹
材料科学
2008-01-07 v1
摘要
我们报道了通过微机械剥离获得的不同单层石墨烯样品拉曼光谱的显著变化，这揭示了即使在没有故意掺杂的情况下也存在过剩电荷。根据 G 峰的位移和宽度，以及二阶 2D 峰位置和相对强度的变化，估算出的掺杂浓度高达 ~10^13 cm-2。不对称的 G 峰表明在小于 1 微米的尺度上存在电荷不均匀性。
引用
@article{arxiv.0709.2566,
title = {Raman Fingerprint of Charged Impurities in Graphene},
author = {C. Casiraghi and S. Pisana and K. S. Novoselov and A. K. Geim and A. C. Ferrari},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.2566},
year = {2008}
}
备注
3 pages, 5 figures